独家CVD数据库
实现SiC晶粒形态自主调控,满足涂层定制化开发需求



材料 | 碳化硅 |
杂质含量ppm | <2 |
密度(g/cm3) | 3.2 |
导热系数(w/m-K) | 200~360 |
热膨胀系数(10-6/K) | 4.0-4.5 |
硬度(kg/mm2 ) | 2900~3300 |
独家CVD数据库
实现SiC晶粒形态自主调控,满足涂层定制化开发需求
材料 | 碳化硅 |
杂质含量ppm | <2 |
密度(g/cm3) | 3.2 |
导热系数(w/m-K) | 200~360 |
热膨胀系数(10-6/K) | 4.0-4.5 |
硬度(kg/mm2 ) | 2900~3300 |
Tel:0512-65115595
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